RAM
컴퓨터에서 랜덤 액세스 메모리(영어: random-access memory, rapid access memory, 임의 접근 메모리 또는 임의 접근 기억 장치, 문화어: 자유기억기, 읽기쓰기기억기, 자유접근기억기 순화어: 막기억장치) 즉 램(RAM)은 전자 컴퓨터 메모리의 한 형태로, 임의의 순서로 데이터를 읽고 변경할 수 있으며, 일반적으로 작업 데이터 및 기계어를 저장하는 데 사용된다. 랜덤 액세스 메모리 장치는 하드 디스크 및 자기 테이프와 같이 데이터 항목의 읽기 또는 쓰기 시간이 기록 매체의 물리적 위치에 따라 회전 속도 및 암 이동과 같은 기계적 제한으로 인해 크게 달라지는 다른 직접 액세스 데이터 저장 매체와 대조적으로 메모리 내 데이터의 물리적 위치와 관계없이 거의 동일한 시간 내에 데이터 항목을 읽거나 쓸 수 있다.
오늘날의 기술에서 랜덤 액세스 메모리는 집적 회로(IC) 칩 형태로 MOS(금속-산화물-반도체) 메모리 셀을 사용한다. RAM은 일반적으로 전원이 제거되면 저장된 정보가 손실되는 휘발성 메모리 유형과 관련이 있다. 휘발성 랜덤 액세스 반도체 메모리의 두 가지 주요 유형은 정적 램(SRAM)과 동적 램(DRAM)이다.
비휘발성 RAM도 개발되었으며 다른 유형의 비휘발성 메모리는 읽기 작업에 대해 랜덤 액세스를 허용하지만, 쓰기 작업을 허용하지 않거나 다른 종류의 제한이 있다. 여기에는 대부분의 ROM 및 NOR 플래시 메모리 유형이 포함된다.
반도체 RAM의 사용은 1965년 IBM이 System/360 Model 95 컴퓨터용 모놀리식(단일 칩) 16비트 SP95 SRAM 칩을 도입하고, 도시바가 180비트 Toscal BC-1411 전자 계산기에 양극성 DRAM 메모리 셀을 사용하면서 시작되었는데, 둘 다 접합형 트랜지스터를 기반으로 한다. 양극성 DRAM은 자기코어 메모리보다 더 빠른 속도를 제공했지만, 당시 지배적이던 자기 코어 메모리의 낮은 가격과 경쟁할 수 없었다. 1966년, 로버트 H. 데나드 박사는 캐패시터당 단일 MOS 트랜지스터가 있는 현대적인 DRAM 아키텍처를 발명했다. 최초의 상업용 DRAM IC 칩인 1K 인텔 1103은 1970년 10월에 출시되었다. SDRAM은 1992년 삼성 KM48SL2000 칩과 함께 다시 도입되었다.
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